迭代方法自能计算
自能计算
这里考虑左右两个电极,中间是导体区域
体系的电导$G=\frac{2e^2}{h}T_{LR}$,这里的$T_{LR}$是透射率
公式的来源可以参考Data的介观输运那本书。这里的$\Gamma_L,\Gamma_R$分别是左右电极的线宽,可以通过左右电极的自能
来的到。首先考虑一个由左右两个电极重甲是导体的体系,对应的哈密顿量可以表示为
这里的$H_{LC},H_{RC}$表示的就是导体和电极之间的耦合。那么有了哈密顿量之后,我们就可以来定义格林函数
通常我们需要求解的只是导体的电导$G_{CC}$,所以将格林函数矩阵中包含$G_{CC}$的这一列单独表示出来
那么就可以得到$G_{CC}$的表达式
这里
表示左电极对应的自能,同样右电极对应的自能为
之前在学习的时候一直有个疑问,我们要求解的很多物理量最后都与自能有关,但是我们又不知道自能到底是多少,这里就来详细看一下到底要如何计算自能。
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当我们考虑周期系统的时候,原胞内和原胞间的hopping矩阵分别为$H_{00},H_{11}$,此时电极对应的哈密顿量为
同样可以对电极定义出格林函数
因为我们这里考虑的是个无限大的系统,所以这个矩阵的维度就是无限大,看起来好像我们没有办法去求它对应的本征值和本征态了。但是如果熟悉紧束缚近似,并且通过观察这个矩阵的形式也可以发现
它是具有规律性的,因为这里我们关心的只是最近邻格点之间的hopping,所以这个哈密顿量的形式看起来就是三对角的形式,这也就是它的规律了。因为我们想要求解自能
$\Sigma_R=H_{CR}(EI - H_R)^{-1}H_{RC}$,这里$H_{CR}$表示的是电极和导体之间的耦合,我们在实际考虑的时候也只有在电极与导体接触的那个位置,这个耦合才不为零,所以它的形式为
所以上面的这个耦合矩阵中,只有一个小块才是非零的,而前面给出的格林函数的计算公式中,我们就只需要计算它的第一个块矩阵就可以了(这一个块中包含了导体与电极之间的耦合,其它块中不包含耦合,所以格林函数是可以直接得到的)。这里我们要求姐的格林函数为$G_{00}$,所以将导线格林函数的第一列单独提取出来
这又是一个三对角的形式,看到这种形式其实就很愉快,因为它表示的其实就是一个递归关系,但是要从$n\geq2$开始,将这个矩阵表示展开可以得到
将它表示为矩阵形式
这不就是量子力学中层间碰到过的转移矩阵的问题了吗,这里将$T$表示为
可以发现$T$的作用就是实现
这样的一个过程,加入将左端从$n=0$开始,右端是$n=N$,那么就是将转移矩阵$T$作用在$n=0$的位置上$N$次。但是乍一看好像还会没有解决问题,因为转移矩阵$T$乘$N$次之后是多少。这个时候物理的思维就显得很重要,我们想要将一个初态通过转移矩阵的方式连续的转移$N$次,要知道每一次转移都是有一定的概率的,而且这个概率肯定是$\leq 1$的,所以当作用$N$次之后,假设$N\rightarrow\infty$,那么转移的几率一定会$p\rightarrow0$。这样就是说转移矩阵满足
将方程(\ref{p1})中的第一行乘过去可以得到
我们在这里可以假设
将它回代到方程(\ref{p2})中就可以得到$G_{00}$了
所以这个时候需要解决的问题就是怎么求解$\gamma_1$。
将方程(\ref{p1})中的第二行乘进去,并且此时假设$G_{20}=\gamma_2G_{00}$,通过代数运算可以得到
好了,$\gamma_1$求解出来了,但是它又包含了$\gamma_2$,那么我们就需要再求解$\gamma_2$。同样的过程可以对公式(\ref{p1})中后面的每一行都进行,可以得到
这里的$g_i$的形式会比较复杂,可以自己推导试试,我也是在看过知乎上的推导实际操作了一番,发现形式上还是有点繁琐,但是没关系,我们需要的只是一个规律而已,通过推导就可以整理出上面的表达式。但是又发现问题了,这个表达式没有尽头求解$\gamma_i$会耦合出来$\gamma_{i+1}$,那么此时格林函数就显的很智慧了。因为格林函数的本质就是点与点之间的关联,我们自然可以认为
更远位置处的关联是零,那么就可以公式(\ref{p3})在某一阶直接截断,即零$\gamma_i=0$,那么自然问题就解耦了。这里就抄一下知乎上的结果,将$\gamma_5=0$可以得到
好长的式子,但是没关系,它是有规律可循的,我们可以通过迭代的方式来计算,代码如下
1 | # 通过迭代的方式求解输运中的表面格林函数 |
通过计算发现这个计算还是非常快的,这也体现了格林函数方法的高效性。
参考
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- yxliphy@gmail.com
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