自旋极化率与结构因子
自旋极化率与结构因子
考虑体系哈密顿量为$H$,自旋密度算符为
进行 Fourier 变换得到
自旋极化率
自旋极化率通过线性响应得到
其中
变换到频率空间
结构因子
结构因子的定义为
假设体系的本征态为$H|n\rangle = E_n |n\rangle$,可以得到配分函数$Z = \sum_n e^{-\beta E_n}$,可以将关联函数表示为
变换到频率空间
这就是结构因子的谱分解表示。
对于自旋极化率则有
同样变换到频率空间
利用恒等式
可以将极化率分解
其中实部
描述体系对外场的响应部分;虚部为
描述体系对外场的能量吸收强度(耗散),将虚部的系数的形式进行改写
得到
与结构因子$\eqref{eq:structure}$进行对比,可以发现最后一部分正是$S^{\mu\nu}(\boldsymbol{q},\omega)$,从而得到
这就是涨落—耗散定理在自旋系统中的形式。
Kramers–Kronig 关系
自旋极化率的实部和虚部之间也存在关联,由因果性$\chi(t<0)=0$可得
因此只要知道了极化率的虚部$\chi^{\prime\prime}$,通过积分即可得到实部$\chi^{\prime}$。而极化率的虚部可以通过中子散射测量结构因子$S(\boldsymbol{q},\omega)$来得到。
非弹性中子散射
中子磁矩$\boldsymbol\mu_n$与电子自旋$\hat{\mathbf S}_j$相互作用
非弹性散射界面
其中$\mathbf q = \mathbf k_i - \mathbf k_f,\hbar\omega = E_i - E_f$,结合关系式$\eqref{eq:schi}$则得到
因此中子散射可以直接测量自旋极化率的虚部。
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