Coulomb阻塞
Coulomb阻塞
- Coulomb阻塞
考虑一个很小的量子点(dot)加载source和drain之间,并通过一个背电极来条件量子点。因为量子点很小,总电容很小,所以多放一个电子进去就需要付出显著的静电充能。当外界给不了这部分能量补充,那么量子点的电子数就是锁定的,从而电流被阻塞。
假设量子点与source、drain、背电极的电容分别是$C_s,C_D,C_g$,那么体系的总电容为
如果量子点上有$N$个额外的电子,那么它的静电荷为
其中$Q_0$是外部电压通过电容在量子点上诱导出的背景电荷。首先来看背电极的作用,其诱导的背景电荷为
因此量子点的静电能为
定义
则方程$\eqref{eq:b1}$变为
这就是Coulomb阻塞的核心公式,可以看到对于每一个整数$N$,系统都有一条能量抛物线$U(N)$。随着背电极改变,$n_g$连续变化,这些抛物线会左右平移;然后真实的电子数必须取整数,所以系统只能在这些整数电荷态当中选择一个能量最低的。
这里出现一个情况:因为$n_g$是连续可调的,但电子数$N$是离散的,这意味着量子点的电荷不是连续变化的,而是在某一段背电压调控范围内保持不变,只有达到临界值才会突然变化$1$,这就是电荷量子化,也是产生Coulomb阻塞的根本原因。
这里背电极的作用是通过$n_g=C_gV_{bg}/e$连续的改变不同整数电荷态$N$的相对能量,当某个$N$态能量最低的时候,电子数就会被锁死在这个整数上;当$N$和$N+1$两个电荷态能量正好相等的时候,量子点就处在电荷简并点,此时电子就很容易进出,导电性能增强。电荷简并满足
代入
得到
也就是说当诱导电荷$n_g$达到电子数半整数倍时,相邻两个电荷态是简并的,此时阻塞被解除。因此当连续改变背电压的时候,量子点的电子数不是连续变化,而是
电导峰则会出现在这些跳变点上。
零偏压情形
现在先考虑最简单的情形:source和drain之间没有偏压,即$V_{sd}=0$,此时左右两侧电极的化学势相同,记为$\mu_F$。如果量子点处在某个固定的电荷态$N$,那么要让电子再进入或者跑出量子点,都需要消耗一定的能量。只要该能量非零,那么电子就不会轻易的流过量子点,从而电导很小。但是在背电压调节到某个简并点$n_g=N+1/2$的时候,两个相邻电荷态$N$和$N+1$能量相同,电子数可以在这两个态之间自由波动,从而就会出现电导峰。因此在很小的偏压下连续改变$V_{\rm bg}$,就会看到典型的Coulomb振荡。对于最简单的充电模型,相邻电导峰之间满足
可以看到电极的电容$C_g$越大,电导峰间距越小;但通常背电极离样品较远,$C_g$往往会比较小,因此电导峰间距通常比较大。
在真实的量子点中,除了充电能,通常还存在离散的单粒子能级$\epsilon_i$。此时总能表示为
于是第$N+1$个电子进入量子点所需要的化学势为
即得到
因为
所以化学势$\mu_{N+1}$对$V_{\rm bg}$是线性依赖的。也就是说背电极的本质作用就是把量子点的一整套加电子/减电子化学势整体向上或者向下移动。当$\mu_{N+1}$被移动到和电极费米能$\mu_F$对其的时候就会发生共振导电。所以从化学势的角度来说,改变背电压就是在扫描“哪个电荷跃迁正好落在费米面上”。
有限偏压
在零偏压时,source和drain的化学势相同,电子只能“精确共振”时通过量子点;在有限偏压时,左右电极的化学势被拉开,形成了一个有限宽度的能量窗口,只要量子点的某个跃迁能级落在该窗口之内就会有电流通过。令
此时source和drain之间的偏压窗口宽度为
现在对于某个量子点跃迁$\mu_{N+1}(V_{bg})$,如果它满足
那么电子就可以先从source进入量子点然后再流出到drain,于是出现了隧穿电流。因此对于零偏压
只有当
是才会发生共振隧穿,它对应一个精确的$V_{\rm bg}$,所以此时看到的Coulomb峰。而在有限偏压下则是满足
也就是说此时不再要求一个精确的$V_{\rm bg}$,只要能量落在一个宽度为$eV_{sd}$的窗口中即可。因此一旦加上有限偏压,每一个零偏压下的尖锐共振点,都会“展开”成一个有限宽度的导电区域。
上面的条件可以写的更加直观一些,假设$V_{bg}^{(N)}$是第$N$个零偏压共振位置,满足$\mu_{N+1}(V_{bg}^{(N)})=\mu_F$。在其附近将$\mu_{N+1}$做线性展开
因此有限偏压下的导电条件为
整理得到
这表明围绕每一个零偏压共振峰$V_{bg}^{(N)}$,都会向有限偏压方向展开一个$V$字型的导电区域。而在两个相邻共振峰之间的中间区域,则在小偏压下始终没有导电,于是形成了一个个封闭的阻塞区域。这些封闭区域在$(V_{sd},V_{bg})$平面上就是Coulomb diamonds。
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