声子介导吸引相互作用与超导
声子介导吸引相互作用与超导
电子–声子模型
讨论声子介导常规超导时,不能只从电子–声子耦合项出发。真实电子体系中本来存在库仑排斥,因此更完整的模型应写为
电子动能为
电子密度算符定义为 $\rho_{\mathbf q}=\sum_{\mathbf k\sigma}c_{\mathbf k+\mathbf q,\sigma}^{\dagger}c_{\mathbf k\sigma}$。库仑排斥可写为密度–密度相互作用
这里 $V_C(\mathbf q)>0$,所以这一项是排斥相互作用。严格地说,金属中进入低能理论的库仑势通常已经是屏蔽后的相互作用。这里用 $V_C(\mathbf q)$ 统一表示有效的库仑排斥。
声子部分写成位移场形式:
电子–声子耦合写成
因此完整哈密顿量为
到这里为止,原始模型中显式存在的是电子动能、库仑排斥、声子自由度和电子–声子耦合。声子介导的电子–电子吸引不是原始哈密顿量中的显式项,而是积分掉声子自由度之后产生的低能有效相互作用。
虚时间作用量
配分函数写成路径积分形式:
总作用量为
电子部分为
库仑相互作用为
声子部分为
电子–声子耦合为
引入玻色 Matsubara 频率 $\Omega_n=2\pi nT$,并记 $Q\equiv(\mathbf q,i\Omega_n)$。声子作用量可以写为
其中 $D_u^{-1}(Q)=M(\Omega_n^2+\omega_{\mathbf q}^2)$。因此位移场的自由声子传播子为
电子–声子耦合项写成
与声子场有关的作用量为
由于 $u_Q$ 只以二次形式出现,所以声子场可以精确高斯积分掉。一般高斯积分公式为
这里对应 $A=D_u^{-1}$ 和 $J_Q=\lambda_{\mathbf q}\rho_{-Q}$。因此
有效电子理论仍需写成 $Z=\int\mathcal D[\bar c,c]\,e^{-S_{\rm eff}[\bar c,c]}$。所以声子积分产生的正指数项进入 $S_{\rm eff}$ 时变成负号:
代入 $D_u(Q)$ 后得到
因此积分掉声子后的电子有效相互作用为
其中
这个式子是从完整模型严格得到的有效作用量结果。它说明总相互作用由两部分组成:第一项是原本就存在的库仑排斥,第二项是由电子–声子耦合诱导出来的声子介导吸引。
很多文献用声子产生、湮灭算符表示电子–声子耦合:
位移场与声子算符满足
因此 $g_{\mathbf q}=\lambda_{\mathbf q}/\sqrt{2M\omega_{\mathbf q}}$。在这个记号下,声子介导相互作用写为
于是总有效相互作用为
它与位移场形式完全等价。在静态极限 $\Omega_n=0$ 下,
这个公式只是频率依赖相互作用在 $\Omega_n=0$ 的极限。它可以帮助理解声子项为什么是负的,但不能直接作为常规超导形成条件的严格判据。原因是库仑排斥和声子吸引的能量结构不同。库仑排斥近似为瞬时相互作用,可以作用在很宽的电子能量尺度上。声子吸引是延迟相互作用,其频率依赖为
当 $|\Omega_n|\ll \omega_{\mathbf q}$ 时,吸引较强;当 $|\Omega_n|\gg \omega_{\mathbf q}$ 时,声子吸引迅速减弱。因此声子吸引主要存在于声子能标以内,典型上由 Debye 频率 $\omega_D$ 限制。相比之下,电子的高能截止通常由费米能或带宽控制,记为 $E_F$。常规金属中通常满足 $\omega_D\ll E_F$。因此不能简单比较静态的 $V_C$ 和 $|V_{\rm ph}|$。更严谨的做法是先把高能区中的库仑排斥重整化到 $\omega_D$,然后再与低能区的声子吸引竞争。
线性化能隙方程
下面给出一个弱耦合、各向同性、费米面投影后的推导。它说明为什么真正进入低能 BCS 方程的不是裸库仑排斥 $\mu$,而是较小的库仑赝势 $\mu^*$。在 $T=T_c$ 附近,超导序参量趋于零。此时能隙方程可以线性化
这里 $N(0)$ 是费米能级态密度。为了突出延迟效应,将能量空间分成两个区域:低能区为 $|\xi|<\omega_D$,高能区为 $\omega_D<|\xi|<E_F$。声子吸引只在低能区显著,而库仑排斥在两个区域都存在。定义无量纲耦合常数
这里 $\lambda>0$ 表示声子吸引强度,$\mu>0$ 表示库仑排斥强度。实际相互作用符号是 $V_{\rm ph}<0$ 和 $V_C>0$。在两能区近似中,令低能区的 gap 为常数 $\Delta_1$,高能区的 gap 为常数 $\Delta_2$。再定义两个对数积分
低能区内部同时有库仑排斥和声子吸引,所以 $N(0)V_{11}=\mu-\lambda$。低能区与高能区之间以及高能区内部没有声子吸引,只有库仑排斥,所以
将这些相互作用代入线性化能隙方程,得到两能区方程
这两个方程的符号很重要。第一式中 $(\lambda-\mu)$ 表示低能区内声子吸引和库仑排斥的竞争;第二式表明高能区没有声子吸引,高能能隙完全由库仑项诱导,并且通常与低能能隙反号。由第二个方程得到
将它代回第一个方程
整理括号中的库仑部分:
于是得到低能能隙方程
定义
于是低能配对方程变为
这就是 Morel-Anderson 库仑赝势的来源,它不是凭空引入的参数,而是把高能区 $\omega_D<|\xi|
低能 BCS 方程与超导判据
经过高能重整化后,低于 $\omega_D$ 的 Cooper 通道中有效无量纲耦合为
线性化能隙方程为
弱耦合下
因此
解得
形成常规声子介导超导的弱耦合条件为 $\lambda>\mu^$。如果 $\lambda\leq\mu^$,低能 Cooper 通道没有净吸引,弱耦合 BCS 配对不发生。需要强调的是,上式是最简弱耦合 BCS 形式。更精确的强耦合理论需要使用 Eliashberg 方程,其中声子谱函数 $\alpha^2F(\omega)$、质量重整化因子 $Z(i\omega_n)$ 和频率依赖的 gap $\Delta(i\omega_n)$ 都会进入计算。但 Morel-Anderson 赝势的基本物理仍然是高能库仑排斥被延迟效应削弱。
投影到 Cooper 通道
积分掉声子以后,有效密度–密度相互作用为
展开密度算符 $\rho_{\mathbf q}=\sum_{\mathbf k\sigma}c_{\mathbf k+\mathbf q,\sigma}^{\dagger}c_{\mathbf k\sigma}$。经过正规排序,其中包含四费米子散射项。对超导最重要的是 Cooper 通道:
于是可以写成配对哈密顿量
其中 $V_{\mathbf k\mathbf k’}=V_{\rm total}(\mathbf k’-\mathbf k,i\Omega_n)$。在各向同性弱耦合 BCS 近似中,低能有效相互作用写为
并且
这里 $V_{\rm eff}>0$,所以实际的配对相互作用是 $-V_{\rm eff}$,即吸引。
BCS 平均场分解
定义配对序参量
平均场近似下,
引入 Nambu 自旋量
则
准粒子能谱为
自洽方程为
对于各向同性 $s$-wave 配对,取 $\Delta_{\mathbf k}=\Delta$ 和 $V_{\mathbf k\mathbf k’}=-V_{\rm eff}$,可得
在 $T=T_c$ 时,$\Delta\rightarrow 0$,因此
参考文献
- M. Tinkham, Introduction to Superconductivity
- J. R. Schrieffer, Theory of Superconductivity
- G. D. Mahan, Many-Particle Physics
- A. L. Fetter and J. D. Walecka, Quantum Theory of Many-Particle Systems
- P. G. de Gennes, Superconductivity of Metals and Alloys
- A. Altland and B. Simons, Condensed Matter Field Theory
- J. Bardeen, L. N. Cooper, and J. R. Schrieffer, “Theory of Superconductivity,” Physical Review 108, 1175–1204 (1957).
- P. Morel and P. W. Anderson, “Calculation of the Superconducting State Parameters with Retarded Electron-Phonon Interaction,” Physical Review 125, 1263–1271 (1962).
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