终于是发表了自己的第一篇文章,之前也曾幻想过如果自己的文章发表自己会很高兴,但是显示好像并不是这样,因为疫情的原因,事情耽搁了一下,第一次经历文章审稿,修改文章,回复审稿人的意见,还经历了和审稿人”吵架”的经历(完全没想到还能这样?我还是很意外的),文章投的是PHYSICAL REVIEW B

自己研究生期间的工作是在一个PRL的基础上进行的,那篇文章中的有效边界理论是个很好用的工具,文章作者严忠波老师将研究过程写的非常仔细,也给了我一个很好的学习机会,这里将文章中用到的有效边界理论进行一个仔细的推导

在正常态到BdG哈密顿量的构建这篇博客中我介绍了如何将正常态的哈密顿量在加入超导配对之后改写为BdG的形式,这里来讨论另外一种常见的情形,那就是基矢选择对于这个构建过程有什么影响.

在平均场的方法下研究叉掉问题,通常需要将哈密顿量写成BdG哈密顿量的形式,其实也就是用时考虑电子和空穴算符,这样就会使得原来的哈密顿量矩阵扩大一倍.这里就详细的从一个模型出发,推导一下如何将一个正常态的哈密顿量,在加入超导配对后改写成BdG形式的哈密顿量.

前面有两篇博客主要关注的不同的基矢下如何构建BdG形式的哈密顿量,既然只不过是基矢的变化,那么两个哈密顿量肯定就是等价的,这里就给一个具体的实例,来看看怎么把两个不同基矢下的哈密顿量进行相互的改写,并利用程序验证其正确性.

前面我已经通过将一个紧束缚模型转换成WannierTools可计算的数据,研究了一下模型的拓扑性质,这里我想通过计算一下Bi$_2$Se$_3$这个材料的一些具体性质,因为这个材料是可以通过VASP计算得到其对应的能带及其它一些信息的,所以我可以结合VASP来完全重复这个材料具体信息,而且这个例子也是学习第一性计算较好的算例,所以就在这里仔细学习并记录一下.

这里主要是整理一下怎么结合VASP和Wannier90来产生WannierTools所需要的紧束缚模型的数据.

这里我想继续通过WannierTools来计算实例中的Weyl半金属这个模型,因为这个实例是直接通过哈密顿量来进行研究的,所以将这个例子学习清楚,之后遇到哈密顿量,可以直接通过这种方式来计算其对应的一些拓扑性质,极大的方便研究.

之前我用WannierTools计算过了Weyl半金属的一些性质,不过那是从一个连续模型出发然后自己构造的紧束缚格点模型,这里我想通过自己最近重新研究的Chern insulator模型来更加具体的学习一下WannierTools的使用,同时也想对Chern Insulator这个模型通过计算一些拓扑的性质来加深自己对这个模型的理解和认识.

这里我想继续通过WannierTools来计算Topological insulator的一些性质,来让自己对输入文件中的一些参数有一个更加深刻的认识,并通过这个实例来学习新的一些控制参数的作用.